图9.3(a)是2SK330的传输特性。从这个HCT245曲线可以看出，由于N沟JFET所具有的耗尽特性，当栅极对源极的电位为ov时漏极电流能够达到最大值（一IDSS：漏极饱和电流）。这时器件处于完全导通状态。但是当栅极上所加负电压超过夹断电压VP时，由于漏极电流变为零，这时的器件处于截止状态。对图9.3(a)的2SK330来说，当为-2.7V时器件处于截止状态。不过考虑到IDSS的分散性，通常要使N沟JFET处于完全截止状态，需要-5V以上。这就是说，如果N沟JFET栅极电压是OV则导通，如果是负几伏（比夹断电压VP更负的电压）则处于截止状态。所以如照片9.1所示，对于N沟JFET的2SK330来说vi在-2～OV之间处于导通状态，在-2V以下时截止。
    图9.3(b)是2 SJ105的传输特性。P沟JFET与N沟的电压极性相反，栅极电压为OV时处于导通状态，在正几伏以上(VP以上)时处于截止状态。图9.3(b)中的V一+2.4V。考虑到IDSS的分散性．仍然可以认为在正几伏以上时处于截止状态。所以如照片9.2所示，对于P沟JFET器件2SJ105来说，当Vi在OV到+2V之间处于导通状态，大于+2V之时则处于截止状态。