Cl和C2是交流耦合电容。本电路中C1=C2=lOpUF，都是铝电MSP430F2272IRHAR解电容器。当然，铝电解电容器的极性都是以直流电位高——即电路一侧为Cl、C2的正极。
    由Cl与偏置电路的输入阻抗(是Ri与R2的交流并联，在该电路中为lMtQ∥1MQ= 500kfl)构成的输入端高通滤波器的截止频率cl为：

              
  
    电源的去耦电容器
    C3和C4是电源的去耦电容器，C3=0.lluF，C4 =lOpLF。
    源极跟随器的频率特性好，由于输入输出信号同相以及栅极的输入阻抗非常高等原因，有时会发生同相信号从源极返回到栅极的现象——加正反馈，电路在高频下有时会产生振荡。
    因此有必要切实地实行电源的去耦。特别是在高频情况下为了降低电源的阻抗，要将小容量电容器C3以最短的距离连接在FET的漏极与源极电阻Rs的接地电之间。