C3和C4是电源的去耦电容——降低电LP2985A-50DBV源对于GND的交流阻抗的电容（旁路电容）。如果没有这个电容，电路的交流特性将出现异常，甚至于出现电路振荡现象。
    电容器的阻抗为1／(2Q.F.C)，频率愈高，阻抗愈低。但是实际上如图3.9所示，由于内部电惑成分的影响，当超过某一频率时阻抗反而上升。而且在结构上，小容量电容在高频，大容量电容在低频，其阻抗变得更低。

               
   
    因此如图3.10所示，电源上并联连接着小容量电容C3和大容量电容C4，所以电源对于GND的阻抗在很宽的频率范围内都下降了。 但是小容量电容是为了在高频范围降低阻抗的，如果没有把它配置在电源附近就会使连接电容器的布线变长，那么由于布线本身具有的阻抗就起不到降低电源阻抗的作用。
    这里选C3为0.lruF的叠层陶瓷电容器，C4为10VF的铝电解电容器。
    一般来说，小容量电容器是0.01～0.111F的薄膜电容器或陶瓷电容器，大容量电容器是l～lOOtjt,F的铝电解电容器。
    对于这种低频电路，几乎所有的电路中即使没有小电容都能够正常工作。但是在高频电路中，C3的作用比大容量电容器C4更重要。

               
    需要注意的是在习惯上，旁路电容形成大容量和小容量的2way结构。
    电源是电路工作的基础。而旁路电容可以说是为电路工作所付的保险费。电路图上即使没有记人旁路电容，如果能够在实际构成电路时恰当地接入旁路电容，就说明你已经进入了经验丰富的技术人员的行列。