下面计算FET中产生的TMS320VC5410APGE16功率损耗（这项损耗变为热量，使FET发热）。
    FET漏极一源极间电压vDS是漏极电位VD与源极电位Vs之差，由式(3.5)得到

          
    
    FET中产生的功耗PD等于加在FET上的电压VDS与流过的电流ID之积，即
    PD =VDS．ID一6.8V×ImA一6.8mW    (3.16)
    可以看出，计算得到的值大大低于表1所列的容许损耗的最大额定值200mW。
    加果RD值比较大，那么RD本身的电压降变大，漏极电位将下降，当输出振幅大时，致使源极电位受到牵连(漏极一源极间电压变为OV)，输出波形的下半周被限幅。
    相反，如果RD小，影响到电源电压，将限制输出波形的上半周。因此，当输出最大振幅（本电路中为3V。一。）时，如果由于这种电压关系导致波形被限制时，就必须改变V。或者ID的设定值，重新计算RD和Rs的值。
    最好将漏极电位VD设定在VDD与V。的中点（在这个电路中得到最大的输出振幅）。当然如果能够满足最大输出振幅的指标要求，也就没有必要拘泥于这点。