FET是通过栅极上所加的电TLP521GB/GR压控制漏极一源极间电流的电压控制器件。
    描述FET性质最常用的方法是叫做传输特性的曲线，它表示漏极电流ID与栅极一源极间电压V GS的关系。
    图2.10是JFET的传输特性。

    当栅极一源极间电压VGS为OV时JFET的漏极电流ID最大。这时的漏极电流叫做漏极饱和电流IDSS。
    JFET的IDSS是漏极一源极间所能够流过的最大电流。除非FET损坏，否则不会有超过IDSS的漏极电流。所以，JFET具有限制电流的作用。
    一般的FET中，IDSS为ImA至数十mA(实际上可以流过比IDSS稍大一些的电流)。
    我们分析图2. lO(a)所示的N沟JFET的曲线。VGS从OV向负方向增大时ID减小，最终变为零，这时的V GS叫做夹断电压Vp。当VGS在负方向比Vp更太时，N沟JFET处于截止状态。
    把VGS在负电压范围时工D的流动称为耗尽特性。
    P沟JFET的ID、VGS、IDSS、VP的极性与N沟情况相反。