图4.2(b)是对晶体管的基极一发射FM16W08-SG极间电压V BE用二极管的正向压降VF进行抵消、进而来消除开关失真的电路。
    晶体管V BE的值具有温度越高就越小的负温度系数（-2.5mV厂℃）。因此，由这样的电路取出大量负载电流时，Tr，与Tr。的温度就升高（由集电极损耗引起的发热），VBE的值就变小。

                
    然而，即使Tri和Tr2的温度变高，二极管Di和D2上流动的电流变化也不大，所以，其正向压降VF也几乎是一定值。就是说，VF≈VBE的关系被破坏，而成为VF>VBE。
    这样一来，在Tri和Tr2中，与VF和VBE之差相对应的基极电流流动，为基极电流^ FE倍的集电极电流作为空载电流而流动，并且，这个集电极电流不是在负载上流动，而是通过Tri与Tr2在电源一电源(GND)之间流动。
    这样，进一步增加了集电极电流。由此，晶体管的温度变得更高，VF和VBE的电压差变大，集电极电流变得更大。
    这种情况反复地进行着，最后，流过非常大的集电极电流，导致Tri和Tr2发生热损坏。这就是晶体管的热击穿原理。
    如图4.2(b)所示的电路，当大电流流过时，有热击穿的担心，但在负载电流小的情况下，这又是很常用的电路。