改进后的推挽型射极跟随器

发布时间:2012/5/10 20:17:56 访问次数:1929

图3.8是对图3.7电路的开关失真STM32F107VC进行改进后的电路。用二极管在各个晶体管的基极上加上0.6V的补偿电压（二极管的正向压降）以取消晶体管的盲区。

    照片3.10是接上100Q负载后的输入输出波形。可以知道，开关失真已消失。

    该电路是用两个二极管的压降抵消两个晶体管的基极一发射极间电压VBE（基极一发射间的二极管为ON与OFF的交界状态）。所以可以认为，晶体管的空载电流几乎为O。因此无信号时，也没有晶体管的发热问题。电路的效率也与图3.7JN 路一样。

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相关IC型号: STM32F107VC; STM3210B-SK/KEIL; STM32F101C6T6; STM32F101C8T6; STM32F101CBT6; STM32F101R6T6; STM32F101R8T6; STM32F101RBT6; STM32F101V8T6; STM32F101VBT6; STM32F103C6T6

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