图2. 21(a)是考虑到这些电阻、电容TPIC6B595N而改画之后的共发射极放大电路。在这里，成为问题的是基极一集电极间电容CBC .     

    基极端子的交流电压为vi，集电极端子的交流电压为-，所以在Cb。两端加的电压为vi(l+A)。为此，在Cb。上流动的电流只是在Cb。上加Vi时的(1+A，)倍（因为加了1+A，倍的电压）。
    因此，由基极端来看Cb。时，可以将Cb。看成具有(1+A，)倍电容的电容器。这就是所谓的密勒效应现象。
    就是说，晶体管的输入电容C．是1+A。倍的之和。所以，如图2.21(b)所示，C．与基极串联电阻“形成低通滤波器。为此，在高频范围，电路的放大倍数下降。
    因此，想制作频率特性更好的放大电路时，必须考虑其他的途径。

    有关这方面内容将在第6章的共基极放大电路中介绍。
    在晶体管的数据表中，往往以CBC与RB的乘积来表示单位为s。显然CBC.RB越小，表示高频特性越好。通常，低频晶体管的值为数十至近百皮秒，高频晶体管为数皮秒至数十皮秒。