声表面波器件的工艺路线选择MP1521EK主要是光刻工艺的选择。其余工序的控制。
    声表面波器件的光刻工艺有两种，即湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀又有正刻和反刻（俗称剥离）之分，正刻和反刻的刻蚀工艺流程示意图见图9. 11所示。曝光方式有接触式和分步重复投影式的STEPPER两种，前者的光刻分辨率不高，后者分辨率高但设备昂贵。

    曝光设备和光刻技术是制作高频声表面波器件的关键设备。g一线stepper适合于1.5GHz以下的声表面波滤波器生产，I一线stepper适合于生产1.5～2.5GHz的声表面波滤波器，如果用分辨率为0.13～0.18 pm的受激准分子stepper，能够制作5.5～5.7GHz范围内的声表面波滤波器。
    腐蚀方法是制作高频声表面波器件的又一关键技术。干法刻蚀法，尤其是反应离子刻蚀(RIE)，是非常适合于制作RF声表面波器件的，用BCl3气体，能干净地蚀刻Al或掺杂的Al膜，不会出现过腐蚀或腐蚀不完全情况。