ESD附加掩模
发布时间:2012/4/24 19:15:11 访问次数:1426
在通常CMOS工艺中，淀积完Poly后进行LDD注入，形成的E13003结构如图2. 64(a)所示。在LDD注入之后生长Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再进行S、D注入，如图2. 64(b)所示，由于Spacer的阻挡作用，形成了LDD结构。LDD结构虽然改进了热载流子效应，但对提高抗ESD能力是非常不利的。
加入ESD版可以改进N管的抗ESD能力。其具体做法是在LDD工艺之后加一层ESD注入，以提高原LDD区域的浓度，形成HDD，如图2.64(c)和(d)，之后再生长Spacer，生长S、D。
在通常CMOS工艺中，淀积完Poly后进行LDD注入，形成的E13003结构如图2. 64(a)所示。在LDD注入之后生长Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再进行S、D注入，如图2. 64(b)所示，由于Spacer的阻挡作用，形成了LDD结构。LDD结构虽然改进了热载流子效应，但对提高抗ESD能力是非常不利的。
加入ESD版可以改进N管的抗ESD能力。其具体做法是在LDD工艺之后加一层ESD注入，以提高原LDD区域的浓度，形成HDD，如图2.64(c)和(d)，之后再生长Spacer，生长S、D。
上一篇：一种正负输入的保护电路设计
上一篇：汉明码纠错
热门点击
- Flooding和Gossiping路由协议
- FTSP
- 无线传感器网络的基本特点
- RSSI定位方法
- 自锁电路
- 到达信号强度测量法( RSSI)
- 应用层
- 传感器网络协议栈的3个管理平台功能
- 提高线圈Q值所采取的措施
- 磁棒
推荐技术资料
- 循线机器人是机器人入门和
- 循线机器人是机器人入门和比赛最常用的控制方式，E48S... [详细]
公网安备44030402000607
