表2.5给出了以上ESD模型的参数。ESD保护性能SS8550是通过传导应力实验进行测试的。利用ESD扫描应力测试仪，使用以上的ESD测试模型，IC芯片在大范围内进行步进式应力实验，直到出现损坏为止。以上所有的测试模式都是破坏性的，所以对失效机理和优化ESD设计并不能提供足够的数据。

    TLP模型
    传输线脉冲(Transmission Line Pulse，TLP)模型与以上四种模型不同，通过改变加在IC管脚上方波的高度、周期和上升时间，可以得到更多有用的信息。TLP测试可以绘出在ESD应力下DUT的连续FV曲线，对研究ESD失效机理提供足够的实验数据。TLP模型电路。图中传输线预充电，然后通过DUT泄放，以模拟ESD应力情况，即一个典型的TLP ESD模型电路，采用可变高度的短方波作为IC的应力。TCL模型可以传导ESD模拟结果，并预测ESD保护电路的设计能力。