耐电应力设计方法
发布时间:2012/4/19 20:03:07 访问次数:1022
与电应力有关的SGM44599YTQB16/TR失效模式主要为：
①高电压（强电场）引起的击穿失效。
②大电流引起的烧毁失效。
上述两种失效与使用过程中的瞬态电冲击有关，如静电放电或在电感性或电容性电路中通、断电瞬间诱发的过大电压或电流引起的失效。
③与热效应伴随的热电击穿失效。
④长期电应力下使电子元器件发生缓慢物理化学变化引起的性能参数漂移失效。
针对上述失效模式在设计中主要采用的设计措施有：
①过电应力防护设计，即复加设计过流、过压保护结构。例如在集成电路的输入端复加设计过压保护二极管、脉冲防护电容等。
②自修复设计，例如用控制电应力引起的开路自修复设计和短路自修复设计。
③减少电应力的设计。例如PNP高压晶体管的P+环结构，控制有害离子在电应力下劣向漂移的栅控结构等。
例如集成电路通常采用的抗电应力设计技术有抗电迁移设计、抗闩锁效应设计、防静电设计和防热载流子效应设计。
另外，光照可影响在户外使用设备（如交通信号设备>中的电子元器件可靠性（如产生浪涌电压），故也应采取特别保护措施，以提高电子元器件承受由于光照引起的浪涌电压的能力。
①高电压（强电场）引起的击穿失效。
②大电流引起的烧毁失效。
上述两种失效与使用过程中的瞬态电冲击有关，如静电放电或在电感性或电容性电路中通、断电瞬间诱发的过大电压或电流引起的失效。
③与热效应伴随的热电击穿失效。
④长期电应力下使电子元器件发生缓慢物理化学变化引起的性能参数漂移失效。
针对上述失效模式在设计中主要采用的设计措施有：
①过电应力防护设计，即复加设计过流、过压保护结构。例如在集成电路的输入端复加设计过压保护二极管、脉冲防护电容等。
②自修复设计，例如用控制电应力引起的开路自修复设计和短路自修复设计。
③减少电应力的设计。例如PNP高压晶体管的P+环结构，控制有害离子在电应力下劣向漂移的栅控结构等。
例如集成电路通常采用的抗电应力设计技术有抗电迁移设计、抗闩锁效应设计、防静电设计和防热载流子效应设计。
另外，光照可影响在户外使用设备（如交通信号设备>中的电子元器件可靠性（如产生浪涌电压），故也应采取特别保护措施，以提高电子元器件承受由于光照引起的浪涌电压的能力。
与电应力有关的SGM44599YTQB16/TR失效模式主要为：
①高电压（强电场）引起的击穿失效。
②大电流引起的烧毁失效。
上述两种失效与使用过程中的瞬态电冲击有关，如静电放电或在电感性或电容性电路中通、断电瞬间诱发的过大电压或电流引起的失效。
③与热效应伴随的热电击穿失效。
④长期电应力下使电子元器件发生缓慢物理化学变化引起的性能参数漂移失效。
针对上述失效模式在设计中主要采用的设计措施有：
①过电应力防护设计，即复加设计过流、过压保护结构。例如在集成电路的输入端复加设计过压保护二极管、脉冲防护电容等。
②自修复设计，例如用控制电应力引起的开路自修复设计和短路自修复设计。
③减少电应力的设计。例如PNP高压晶体管的P+环结构，控制有害离子在电应力下劣向漂移的栅控结构等。
例如集成电路通常采用的抗电应力设计技术有抗电迁移设计、抗闩锁效应设计、防静电设计和防热载流子效应设计。
另外，光照可影响在户外使用设备（如交通信号设备>中的电子元器件可靠性（如产生浪涌电压），故也应采取特别保护措施，以提高电子元器件承受由于光照引起的浪涌电压的能力。
①高电压（强电场）引起的击穿失效。
②大电流引起的烧毁失效。
上述两种失效与使用过程中的瞬态电冲击有关，如静电放电或在电感性或电容性电路中通、断电瞬间诱发的过大电压或电流引起的失效。
③与热效应伴随的热电击穿失效。
④长期电应力下使电子元器件发生缓慢物理化学变化引起的性能参数漂移失效。
针对上述失效模式在设计中主要采用的设计措施有：
①过电应力防护设计，即复加设计过流、过压保护结构。例如在集成电路的输入端复加设计过压保护二极管、脉冲防护电容等。
②自修复设计，例如用控制电应力引起的开路自修复设计和短路自修复设计。
③减少电应力的设计。例如PNP高压晶体管的P+环结构，控制有害离子在电应力下劣向漂移的栅控结构等。
例如集成电路通常采用的抗电应力设计技术有抗电迁移设计、抗闩锁效应设计、防静电设计和防热载流子效应设计。
另外，光照可影响在户外使用设备（如交通信号设备>中的电子元器件可靠性（如产生浪涌电压），故也应采取特别保护措施，以提高电子元器件承受由于光照引起的浪涌电压的能力。
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