光电电位器是一种非接触式电位器，它用光束代替一般电位器上的活动触点——电刷。图3-83是一种电阻型光电电位器的原理结构图。电阻型光电电位器主要由电阻体、光电导层和导电电极等组成。光电电位器的制作过程是：先在基体上沉积一层硫化镉或硒化镉的光导电层，然后在光导电层上再沉积一条电阻体和一条导电电极。在电阻体和导电电极之间留有一个狭窄的间隙。平时无光照时，电阻体和导电电极之间由于光电导层阻值很大而呈绝缘状态。当光束照射在电阻体和导电电极的间隙上时，由于光导电层被照射部位的亮电阻很小，使电阻体被照射部位和导电电极导通，于是光电电位器的输出端便有电压输出，输出电压的大小与光束位移照射到的位置有关，从而实现了将光束位移转换为电压信号输出。D100S06B    
    除了电阻型光电电位器外，还有一种结型光电电位器，它是利用由半导体制成的二极管取代光敏材料制成的。在一块高阻硅单晶片上，用扩散、外延、光刻等技术形成两条反型区，它们都同基片形成PN结。其中一条为电阻带，在它的两端施加压；另一条沉积导电层作为集流电极。当无光照时，两个反型区均处于反偏状态，阻值很大呈绝缘状态；当有光照照射在电阻带和集流电板间时，两个PN结对基片有漏电流，在负载上可得到输出电压。结型光电电位器可通过光刻控制条型区的宽度，以得到不同的输出特性。
    光电电位器最大的优点是它属于非接触型电位器，不存在磨损问题，也不存在任何摩擦力矩，从而有效地提高了电位器的精度、分辨力、可靠性及使用寿命。上述的这些优点是其他电位器所无法比拟的，因而在许多重要场合都得到了应用。
    光电电位器的不足之处是阻值范围不大，温度系数较大。电阻型光电电位器的温度系数在- 20℃~+70℃范围内便高达0.001~0.01/℃。