射频干扰抑制
发布时间:2012/3/4 15:08:34 访问次数:1185
当应用环境中存在很大的射频信号时，射频整流效应将产生一个小的直流偏移电压。如图8. 82所示，在AD8235芯片内部具有一个3.lpF的栅极电容，在每个输入端串联一个电阻可以构成一个低通滤波器，可降低在高频率信号的整流效应。滤波器的截止频率与外部的串联电阻和内部栅极电容的关系可表示如下：A1101
也可以采用由外部电阻和电容构成的低通滤波器，用于抑制射频干扰。其电路如图8. 83所示，图中C。为10 xC。。滤波器的截止频率与外部电阻和电容的关系可表示如下：
当应用环境中存在很大的射频信号时，射频整流效应将产生一个小的直流偏移电压。如图8. 82所示，在AD8235芯片内部具有一个3.lpF的栅极电容，在每个输入端串联一个电阻可以构成一个低通滤波器，可降低在高频率信号的整流效应。滤波器的截止频率与外部的串联电阻和内部栅极电容的关系可表示如下：A1101
也可以采用由外部电阻和电容构成的低通滤波器，用于抑制射频干扰。其电路如图8. 83所示，图中C。为10 xC。。滤波器的截止频率与外部电阻和电容的关系可表示如下：
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