1．伏一安特性
    发光二极管与普通二极管的伏一安特性相似， T0855只是发光二极管的正向导通电压值较大。小电流发光二极管的反向击穿电压很小，为6V至十几伏，比普通二极管的小。图12-3所示是发光二极管正向伏．安特性曲线。

                   
    图12-4所示是发光二极管伏，安特性曲线，它含正向和反向特性。发光二极管具有与一般半导体三极管相似的输入伏．安特性曲线。

                   
    关于伏．安特性曲线各区段说明如下。
    (1) OA段。这是正向死区。UA为开启发光二极管发光的电压。
    (2) AB段。这是工作区。在这一区段，一般是随着电压增加电流也跟着增加，发光亮度也跟着增大。
    (3) OC段。这是反向死区，发光二极管加反向电压是不发光的（不工作），但有反向电流。这个反向电流通常很小，一般在几微安之内。在1990～1995年，反向电流定为10YA；在1996～2000年，反向电流为5uA，目前反向电流一般是在3雌以下，但是基本上是OμA.
    (4) CD段。这是反向击穿区，发光二极管的反向电压一般不要超过10V，最大不得超过15V。超过这个电压，就会出现反向击穿，导致发光二极管报废。
    2．正向电阻和反向电阻特性
    发光二极管正向和反向电阻均比普通二极管的大得多，了解这一点对检测二极管有重要指导意义。
   3．工作电流与发光相对强度关系
    图12-5所示是发光二极管工作电流与发光相对强度关系特性曲线。对于红色发光二极管而言，正向工作电流增大时发光相对强度也在增大，当工作电流大到一定程度后，曲线趋于平坦（饱和），说明发光相对强度趋于饱和；对于绿色发光二极管而言，工作电流增大，发光相对强度增大，但是没有饱和现象。

                         
    4．发光强度与环境温度关系
    图12-6所示是发光二极管发光强度与环境温度关系特性曲线。温度愈低，发光强度愈大。当环境温度升高后，发光强度将明显下降。

                   
    5．最大允许工作电流与环境温度关系
    图12-7所示是最大允许工作电流与环境温度关系特性曲线。当环境温度大到一定程度后，最大允许工作电流迅速减小，最终为零，说明在环境温度较高场合下，发光二极管更容易损坏，这也是发光二极管怕烫的原因。

                   
    6．其他特性曲线
    图12-8所示是发光二极管正向电流与正向管压降之间关系特性曲线。

                    
    图12-9所示是发光二极管正向电流与波长之间关系特性曲线。

                    
    图12-10所示是发光二极管工作温度与波长之间关系特性曲线。

    7．典型应用电路
    图12-11所示是发光二极管几种典型应用电路。在直流和TTL电路中可以直接驱动发光二极管，在CMOS电路中由于驱动电流不足需另加LED驱动管VTl。