1．场效应管串联衰减式音量控制器
     图3-40所示是一种采用MOSFET（金属．氧化物．半导体场效应管）的串联衰减式音量控制器电路。电路中，门极电压UG由电位器控制，场效应管内阻受UG控制。改变场效应管内阻时，输入VT1的音频信号将随之变化。漏极与源极之间电压UDS大时，音量小，反之音量大。

     2．负反馈式场效应管音量控制器
    图3-41所示是另一种负反馈式场效应管音量控制器电路。

                 
    结型场效应管设在负反馈电路中， ITR9606场效应管漏极与源极之间内阻与Rl并联后，与R2构成负反馈电路。场效应管漏极与源极之间内阻愈小，负反馈量愈小，放大器增益愈大，音量愈大；反之音量则小。而场效应管漏极与源极之间内阻又受场效应管栅极电压控制。