图8.5(a)显示N沟道JFET共源极(common-source)自给偏压电路，交流信号源以电容耦合到栅极。电阻RG有两个作用：它维持栅极电压值约为直流OV(因为IGSS相当小)；Re通常具有数MW电阻值，这也避免对交流信号源造成负载效应。Rs两端的电压降可作为偏置电压。旁路电容器C2保持FET源极端实际上交流接地。

                    
    输入信号电压造成栅极一源极电压在Q点（VGSQ）上下变动，引起漏极电流相对应的变动。当漏极电流增加，RD两端的电压降也增加，造成漏极电压下降。漏极电流在Q点附近的变化与栅极对源极电压的变化同相位(in phase)，漏极一源极电压在Q点( VDSQ)上下变化，而且与栅极对源极电压成180。反相，如图8.5(b)所示。
    以上对N沟道JFET的工作过程的说明，可以利用图8.6的转换特性曲线和漏极特性曲线加以说明。图8.6(a)显示Vgs的正弦波形的变化产生相对应的Id正弦波形变化。当gs从Q点往负方向变化，L也从Q点减少。当Vgs往正方向改变，Id增加。图8.6(b)利用漏极特性曲线显示相同的动作过程。栅极信号驱使漏极电流在负载线的Q点上下等距变化，如箭头所示。从栅极电压波形的峰值向左边的I轴及下方VDS轴分别做垂线，M28F101-200K6就可显示出漏极电流和漏极对源极电压的峰峰值变化的情况。