单结晶体管多谐振荡器是利用电容器的充、放电原理工作的
发布时间:2011/11/10 11:37:44 访问次数:2426
单结晶体管具有负阻特性,可以很方便地构成多谐振荡器,电路如图9-81所示。VT为单结晶体管,R1是单结晶体管的发射极电阻,R2、R3分别是单结晶体管的两个基极电阻,C为定时电容。
单结晶体管多谐振荡器也是利用电容器的充、R7731GE 放电原理工作的。接通电源后,由于电容C上的电压不可能瞬间建立,单结晶体管VT处于截止状态,电源+Vcc通过R1向C充电,充电电流Ic充如图9-82所示。
随着充电的进行,电容C上电压不断上升。当C上电压上升到单结晶体管VT的峰点电压UP时,发射结等效二极管导通,C通过VT的发射极一第一基极和R3放电,放电电流k放如图9-83所示。放电电流Ic放在R3上的压降形成窄脉冲。
当电容C上电压因放电下降至单结晶体管VT的谷点电压UVT时,单结晶体管截止,又开始新的一轮充、放电过程,从而产生自激振荡,振荡周期T~R1Cln·1/1-η(s)。式中,η为单结晶体管的分压比。
振荡信号可从单结晶体管的第一基极B.或第二基极B2输出,B1输出为连续窄脉冲,B2输出为占空比较大的方波脉冲,波形如图9-84所示。
单结晶体管具有负阻特性,可以很方便地构成多谐振荡器,电路如图9-81所示。VT为单结晶体管,R1是单结晶体管的发射极电阻,R2、R3分别是单结晶体管的两个基极电阻,C为定时电容。
单结晶体管多谐振荡器也是利用电容器的充、R7731GE 放电原理工作的。接通电源后,由于电容C上的电压不可能瞬间建立,单结晶体管VT处于截止状态,电源+Vcc通过R1向C充电,充电电流Ic充如图9-82所示。
随着充电的进行,电容C上电压不断上升。当C上电压上升到单结晶体管VT的峰点电压UP时,发射结等效二极管导通,C通过VT的发射极一第一基极和R3放电,放电电流k放如图9-83所示。放电电流Ic放在R3上的压降形成窄脉冲。
当电容C上电压因放电下降至单结晶体管VT的谷点电压UVT时,单结晶体管截止,又开始新的一轮充、放电过程,从而产生自激振荡,振荡周期T~R1Cln·1/1-η(s)。式中,η为单结晶体管的分压比。
振荡信号可从单结晶体管的第一基极B.或第二基极B2输出,B1输出为连续窄脉冲,B2输出为占空比较大的方波脉冲,波形如图9-84所示。
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