(2)加反向电压
    当变容二极管两端加反向电压时，内部的PN结变厚，如图3-84 (b)所示，PN结阻止电流通过，故变容二极管处于截止状态，反向电压越高，PN结越厚。PN结阻止电流通过，相当于绝缘介质，而P型半导体和N型半导体分别相当于两个极板，也就是说处于截止状态的变容二极管内部会形成电容的结构，这种电容称为结电容。普通二极管的P型半导体和N型半导体都比较小，形成的结电容很小，可以忽略：而变容二极管在制造时特意增大P型半导体和N型半导体的面积，从而增大结电容。
    也就是说，当变容二极管两端加反向电压时，处于截止状态，内部会形成电容结构，此状态下的变容二极管可以看成是电容。
    (3)容量变化规律
    变容二极管加反向电压时可以相当于电容，当反向电压改变时，其容量就会发生变化。下面以图3-85所示的电路和曲线来说明变容二极管容量变化规律。
    在图3-85 (a)所示电路中，变容二极管VD加有反向电压，电位器RP用来调节反向电压的大小。当RP滑动端右移时，加到变容二极管负端的电压升高，即反向电压增大，变容二极管内部的PN结变厚，内郜的P、N型半导体距离变远，形成的电容容量变小；当RP滑动端左移时，变容二极管反向电压减小，内部的PN结变薄，内部的P、N型半导体距离变近，形成的电容容量增大。
    也就是说，当调节变容二极管反向电压时，其容量会发生变化，反向电压越高，容量越小，反向电压越低，容量越大。
    图3-85 (b)所示的曲线就直观表示出变容二极管两端反向电压与容量变化规律，如当反向电压为2V时，容量为3pF；当反向电压增大到6V时，容量减小到2pF。