变容二极管是利用PN结的结电容可变的原理制成的半导体器件，变容二极管的外形及伏安特性与普通二极管没有什么区别，不同的是变容二极管PN结的势垒电容能灵敏地随变容二极管外加反向偏置电压的变化而改变。从PN结的原理可知，结电容的大小与反向偏压的大小有关，反向偏压越高，结电容越小，反之结电容越大。偏压与结电容之间的关系是非线性的，如图5-41所示。       PCA9551PW     

    变容二极管的主要参数，其中一些和普通二极管的参数意义相同，不同的参数主要有以下几个。
    ①击穿电压。指变容二极管发生雪崩击穿时的电压值，它决定了变容二极管控制频率的上限，也就是决定了最小结电容。
    ②结电容的变化范围。指在工作电压范围内的结电容变化范围。
    ③电容比。指在结电容的范围内，最大电容与最小电容之比。
    ④Q值。它是变容二极管的品质因数，反映了变容二极管的回路损耗特性。一般Q值在几十到一二百之间。当Q值下降到等于1时，相应的频率叫截止频率f_o，即
                             f_o=1/2πC_jR_s
    式中，C_j为二极管的结电容；R_s为二极管的串接电阻，包括接线屯阻和体电阻。