集成电路的制造工艺是由多种单项工艺组合而成的，简单来说主要的单项工艺通常包括三类：薄膜形成工艺、图形转移工艺和掺杂工艺。
    (1)薄膜形成工艺  包括氧化工艺和薄膜淀积工艺。该工艺通过生长或淀积的方法，生成集成电路制造过程中所需的各种材料的薄膜，如金属层、绝缘层等。
    (2)图形转移工艺包括光刻工艺和刻蚀工艺。从物理上说，集成电路是由许许多多的半导体元器件组合而成的，对应在硅晶圆片上就是半导体、导体以及各种不同层上的隔离材料的集合。集成电路制造工艺首先将这些结构以图形的形式制作在光刻掩模板上，然后通过图形转移技术将图形转移到硅晶圆片上。
    (3)掺杂工艺包括扩散工艺和离子注入工艺，通过这些工艺将各种杂质按照设计要求掺人品圆片的特定位置上，形成晶体管的各“极”以及欧姆接触（金属与半导体的接触）等。
    通过一定的顺序对上述单项工艺进行重复、组合使用，就形成集成电路的完整制造工艺了。芯片基本制造工艺如图3.4.1所示。     HA17555P