TC58DVM72AIFTOO/TC58DVM72AIFIFTOO/TC58DAM72AIFTOO/TC58DAM72FIFTOO 128bit(16M×8bit/8M×16bit) CMOS NAND EEPROM电路的基本特性：

1) 结构(TC58DxM72Alxxxx)，存储器元阵列为(246×32k×16)B，寄存器为(246×16)B．页面大小为264B，块大小为(8k+256)B；
2) 结构(TC58DxM72Flxxxx)，存储器元阵列为(528×32k×8)B，寄存器为528×8，页面大小为528B，块大小为(16k+512)B；
3) 模式，读、重置、自动页面程序、自动块擦除、状态读；
4) 模式控制，串行I/O，指令控制；
5) 电源电压( TC58DVM72xlxxxx) Vcc=2.7～3.6V，V_ccq=2.7~3.6V;
6) 电源电压(TC58DVM72xlxxxx)  Vcc= 2.7～3.6V,V_ccq=1.65—1.95V;
7) 程序/擦除周期为10⁵周期（具有ECC）；
8) 存取时间，元阵列到寄存器为25μs（最大值）、串行读周期为50ns（最小值）；
9) 操作电流，读模式（50ns周期）时为lOmA（典型值），页面程序模式（平均值）时为lOmA(典型值），擦除模式（平均值）时为lOmA（典型值），待机模式时为50μA。