JS28F320J3D-75产品特点

1)架构
 高密度对称的128千字节块
 256兆位（256块）
 128兆位（128块）
 64兆位（64块）
 32兆位（32块）

2)业绩
  75纳秒的初始访问速度（128/64/32兆位密度）
  95纳秒的初始访问速度（256兆位只）
  25 ns的8字和4字异步页面读取模式
  32字节的写缓冲区
  4微秒，每字节编程时间有效

3)系统电压和功率
  V_CC=2.7V至3.6V
  V_CCQ=2.7V至3.6V

4)包装
  56引脚TSOP封装（32，64，128兆）
  64球BGA封装易恒忆（32岁，42，128和256兆）

5)安全
  增强的安全选项的代码保障
  128位保护寄存器
  64位唯一的设备标识符
  64位用户可编程OTP细胞
  绝对保护与V_PEN=GND
  个人块锁定
  块擦除/编程锁定在电源转换

6)软件
  编程和擦除暂停支持
  闪存数据合成器（FDI），通用闪存接口（CFI）兼容

7)质量和可靠性
  工作温度：
  40°C至+85°C
  100K每块最小擦除周期
  0.13微米工艺第八ETOX™

JS28F320J3D-75功能概述

     Numonyx™嵌入式闪存（J3诉D）系列包括高密度在以下配置任何有组织的记忆：
  1、32MB或16Mword（256兆），作为两百年56 128KB的组织（131,072字节）的擦除块，用户应该知道，这个密度是不提供在一个单片的一部分，该设备是由2x128-MB设备了。
  2、16MB或8Mword（128兆），组织成一个百年28128-千字节擦除块
  3、8MB或4Mword（64兆），组织为64128千字节擦除块
  4、4MB或2Mword（32兆），组织为32128千字节擦除块