TC4420/TC4429 6A高速MOSFET驱动器电路的基本特性：

1)闭锁保护：能够承受大于1. 5A的反向电流；          7）高容性负载驱动能力：lOOOOpF；

2)逻辑输入能够承受摆幅最高为5v的负输入电压；       8）短延迟时间为55ns（典型值）；

3) ESD保护电压为4kV；                              9）CMOS/TTL输入兼容；

4)匹配的上升和下降时间为25ns (2500pF负载)；       10）低电源电流：对于逻辑“1”输入为450μA（典型值）；

5)高峰值输出电流为6A；                            11）低输出阻抗2.5Ω；     

                     
6)宽输入电源电压范围：4.5~18V；                   12）输出电压摆动在地电平或25mV V_DD内。