30纳米级32GB DDR3服务器模组可谓是目前全球功能最优越的产品，这标志着三星最早实现了服务器专用、超节能型30纳米级32GB DDR3内存模组量产。目前三星电子的4Gb DRAM生产工艺覆盖了从服务器到笔记本一系列的产品，新产品或将引领其从高性能、大容量服务器到移动市场的高速发展。

采用30纳米级2Gb DDR3 DRAM生产的模组相比，30纳米级4Gb DDR3 DRAM笔记本模组的性能依旧突出，拥有与前者相同的1.5伏/2.133Mbps的高性能。由于30纳米级4Gb DDR3 DRAM的单位产能比40纳米级4Gb DDR3 DRAM 高出50%多，它将在具有高性能、低能耗的下一代服务器市场和高端笔记本市场取代40纳米级4Gb DDR3 DRA的同时，创造新的需求。

2011年2月起，三星就已经批量生产30纳米级（1纳米相当于10亿分之一米）4Gb DDR3 DRAM，并于4月开始供应16GB模组，紧接着在本月开始提供32GB DDR3模组和高端笔记本用的30纳米级8GB DDR3模组，构建成了高性能、大容量的“绿色 DDR3产品线”。

2011年3月开始，三星电子仅用了一个月的时间就实现了4Gb移动DRAM的量产到4Gb DRAM工艺大容量电脑用模组量产，这说明从移动市场到企业级服务器市场，三星电子将以最先进的30纳米级DRAM来推动企业对低耗能“绿色内存”的需求。

目前，三星为了进一步开展“绿色存储器”推广活动，将与大型服务器厂商以及电脑公司加强技术方面的交流与合作。同时，通过今年下半年举办的“半导体CIO论坛”，三星将与美国以及亚洲的跨国企业首席信息官共享绿色经营（通过绿色存储器重新创造价值）带来的成果，与此同时，通过创造更为广阔的合作机会来完成“绿色IT系统”。

三星电子半导体,三星在去年2月份最早量产40纳米级4Gb DDR3 DRAM后，仅仅一年的时间里就成功实现30纳米级4Gb DDR3 DRAM的量产。在企业级服务器市场和移动市场等高端DRAM市场上确保了最高水平的产品竞争力和解决方案。为了适应绿色IT市场的急速发展，我们计划在下半年推出超节电型‘20纳米级4Gb DRAM’。向顾客提供最高性能的‘绿色内存解决方案’，并持续发展存储器市场。”

三星电子以本次30纳米级4Gb DRAM批量生产为契机，将大幅度提高大容量DRAM的生产比重，争取最晚在2012年，将这一比重提高至所有DRAM生产的10%以上。另据市场调查机构调查显示，4Gb DRAM的市场占有率从2011年起逐渐扩大，到2012年，2013年，2014年将分别扩大至10%、35%、57%，已经成为DRAM市场的主力军。

三星电子宣布，将从本月开始在全球率先量产30纳米级4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)内存模块。30纳米级32GB DDR3内存模组具有高性能、低功耗、大容量等特点，能够在1.35伏的电压下达到1.866Mbps传输速度，最适合应用于最新高性能的服务器，和现有的40纳米级32GB DDR3模组（1.5伏/1.333 Mbps ）相比，不仅可以节省18%的能耗，而且将数据传输速度提高了40%。