主要特性：

·30V和40V击穿电压

·额定输出电流 44A至80A

·标准阀压驱动

·逻辑电平控制

·-55°C至175°C 工作温度范围

·通过AEC-Q101认证

9款新产品均已量产。意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出9款全新汽车级功率MOSFET，进一步扩大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET产品组合，为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。

高能效电气系统对于汽车制造商日益重要。从车窗升降机、雨刷器、暖气鼓风机，到引擎控制模块、起动机-交流发电机、能源恢复系统，这些均由电气系统管理，而混合动力汽车则更需要高效的能源管理系统，以最大限度地延长汽车的续航里程。意法半导体的新款功率MOSFET能够将电气系统驱动器和控制器的正常功耗降至最低，从而提升电气系统的能效；同时还可减少电路产生的热量，实现更小、更轻的装置设备。

全新符合AEC-Q101的30V和40V功率器件采用意法半导体先进的STripFET VI DeepGATE技术，拥有极低的导通功耗与有效芯片尺寸比。这两款产品拥有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低导通功耗，采用工业标准DPAK或D2PAK两种贴装功率封装，占用更小的电路板空间。全新功率MOSFETS系列包括逻辑电平和标准电平两款型号。

为保证新产品达到汽车应用要求的可靠性和稳健性，按照AEC-Q101标准认证的测试条件，所有器件在晶圆制程和成品阶段均经过100%雪崩测试。除汽车设备以外，新系列产品还可提高其它应用的电源和驱动器的能效。