3STR1630是一款采用最新低压平面工艺制造的NPN型晶体管。意法半导体在平面技术工艺中加入一种双金属层制程，可将单元密度提高近一倍，而无需使用复杂的蚀刻设备。

除了将同一芯片上的输出电流提高50%，双金属层制程还可为晶体管实现高达100V的Vceo额定电压，高达300kHz的工作开关频率及有效降低40%的Vce(sat)电压。

作为新系列产品的首款产品，3STR1630拥有最低30V的BV_CEO电压，提供在28V截止电压与最小Vce(sat)电压之间的最佳平衡，在hFE值等于50时，等效通态电阻仅为100mΩ。此外，新产品尽管采用紧凑型SOT-23封装，但连续输出电流仍高达6A。

3STR1630现已量产。

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码STM），推出全新高性能双极功率晶体管系列的首款产品。新产品集多种卓越性能于一身，包括高输出电流、高集电极-发射极截止电压及超低集电极-发射极饱和电压，是LED驱动、电机驱动器和继电器驱动电路和直流-直流转换器的最佳选择。