Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK
发布时间:2009/1/13 0:00:00 访问次数:516
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出业界最小的20v n通道功率mosfet＋肖特基二极管sib800edk，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型powerpak sc-75封装。这款新型器件的推出，意味着vishay将其在100ma时具有0.32v低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5v栅极驱动时规定的额定导通电阻的mosfet进行了完美结合。
当便携式电子设备变得越来越小时，元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，vishay的sib800edk比采用2mm×2mm封装的器件小36%，同时具有0.75mm的超薄厚度。vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。
sib800edk具有0.960(1.5v vgs时)～0.225(4.5v vgs时)的低导通电阻范围。1.5v时的低导通电阻额定值可使mosfet与低电平时的信号一同使用。
该新器件的典型应用将包括手机、pda、数码相机、mp3播放器及智能电话等便携式设备的i2c接口与升压转换器中的电平位移转换。
sib800edk具有esd保护，并且100%无铅(pb)，无卤素，以及符合rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出业界最小的20v n通道功率mosfet＋肖特基二极管sib800edk，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型powerpak sc-75封装。这款新型器件的推出，意味着vishay将其在100ma时具有0.32v低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5v栅极驱动时规定的额定导通电阻的mosfet进行了完美结合。
当便携式电子设备变得越来越小时，元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，vishay的sib800edk比采用2mm×2mm封装的器件小36%，同时具有0.75mm的超薄厚度。vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。
sib800edk具有0.960(1.5v vgs时)～0.225(4.5v vgs时)的低导通电阻范围。1.5v时的低导通电阻额定值可使mosfet与低电平时的信号一同使用。
该新器件的典型应用将包括手机、pda、数码相机、mp3播放器及智能电话等便携式设备的i2c接口与升压转换器中的电平位移转换。
sib800edk具有esd保护，并且100%无铅(pb)，无卤素，以及符合rohs，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
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