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Nor-Flash 的设计

发布时间:2008/12/25 0:00:00 访问次数:605

  系统所用的nor-hash芯片是intel公司的e28f128j3fash,如图所示。128mbit的存储空间由128个128kb(131072字节)的擦除块组成。擦除块是相互独立的,每一块的擦除操作都可以在is内完成。每一块可以独立地被擦除100000次。这些块可以分别设定为是可锁的或是非可锁的,由一个锁定位来控制。还有一个128bit的保护寄存器可以复用。

  图 nor-flash模块

  该hash采用25根地址线和16位数据线,可以通过nbyte这个信号来选择是8位还是16位方式访问。该系统是采用16位方式访问的,因此该信号线接高电平,同时a0地址线不起作用,一同接高。noe/ nwe是读写信号,由ep7312的读写控制线直接控制。hash的片选信号有3个,它们组合后的结果如表所示。

  表 e28f128j3 flash片选信号

  系统中将ce1、ce2信号接高,ceo由arm的cs0片选线来控制。

  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)



  系统所用的nor-hash芯片是intel公司的e28f128j3fash,如图所示。128mbit的存储空间由128个128kb(131072字节)的擦除块组成。擦除块是相互独立的,每一块的擦除操作都可以在is内完成。每一块可以独立地被擦除100000次。这些块可以分别设定为是可锁的或是非可锁的,由一个锁定位来控制。还有一个128bit的保护寄存器可以复用。

  图 nor-flash模块

  该hash采用25根地址线和16位数据线,可以通过nbyte这个信号来选择是8位还是16位方式访问。该系统是采用16位方式访问的,因此该信号线接高电平,同时a0地址线不起作用,一同接高。noe/ nwe是读写信号,由ep7312的读写控制线直接控制。hash的片选信号有3个,它们组合后的结果如表所示。

  表 e28f128j3 flash片选信号

  系统中将ce1、ce2信号接高,ceo由arm的cs0片选线来控制。

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