作为并行eeprom的实例，我们举出st microelectronics公司1mb的m28010来进行说明。dip式的引脚配置如图所示：与amd闪速存储器命名信号名称的方式不同，du等同于nc，其他w，g，e分别等同于we，oe和ge。我们知道引脚配置本身具各兼容性。

　　图 m2801o的引脚配置

　　并行eeprom的内部也同闪速存储器一样，包括获得高电压用于替换的升压电路以及对内部单元的写入控制电路。写人操作可以针对任意地址，与闪速存储器相同，在从cpu端进行写人操作到内部的替换操作结束．需要一定的时间。因此，和闪速存储器一样，如果在替换中要求读取数据，则将读出状态值，根据这个特点可以判断替换操作是否已完成。还有一个相同点就是可以汇总对同一页的替换进行处理。

　　与闪速存储器较大的不同之处在于以下两点：

　　①写人操作只要简单地写即可；

　　②写保护功能没有特殊的电压控制也可利用。

　　虽然闪速存储器可以写入任意的地址，但为了进行写入操作，必须发出多次指令序列。与此相对应，只要eeprom没有被执行保护功能，就可以对该地址进行写人操作。

　　但是，像这样简单进行的写人操作，反过来可具有因电气异常而导致误替换的危险性。为此，eeprom也要具各写保护功能，以避免不经意的替换。

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