fram是半导体技术的新发展。顾名思义，fram不像ram那样的易失性。相反，它不需要用电源来保持数据。在fram里是利用铁电材料的特性来存储数据的，结构与eeprom的结构相类似，而只是在控制栅和浮动栅之间具有铁电物质，fram单元的剖视图见1所示。

　　图1 以0.5μm技术制造的fram单元的剖视图（左边的两个浅色的矩形是在半导体
　　表面的控制引线；右边的水平矩形是实际的fram单元，在两个电极之间看到的
　　暗层是铁电材料。pram单元的宽度大约为2μm，由富士通公司提供）

　　fram具有智能卡存储器所有理想的性能，它只需用5v来编程，编程时间大约为100ns，而最大编程次数大约是10亿次，集成密度与闪速eeprom相似。当然，pram也具有两个缺点：第1是有限的读次数，即需要进行刷新循环；第2因它的工艺处理很困难则影响更大。目前还未能把这项技术用在智能卡微控制器里。当然，在几年之后可能会发生变化，因为fbam具有几乎完全替代eeprom的所有特性。

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