cmos标准输入

　　金属—氧化物—半导体结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为cmos。

　　cmos是互补型金属氧化物半导体的简称，与ttl一样，它也是一种半导体的制造工艺，电源电压可以是＋3～＋15v不等，对不同的电源电压其高电平和低电平的定义也是有区别的，高逻辑电平电压接近于电源电压，低逻辑电平接近于0v，而且具有很宽的噪声容限。

　　cmos集成电路，单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。cmos电路的噪声容限一般在40％电源电压以上，cmos电路的电源电压一般为1.5～18v。cmos电路的输入阻抗大于108ω，一般可达1010ω。

　　ttl的v_oh＝2.4v,v_ol＝0.4v，而cmos的v_ih＝3.5v，v_il＝1.5v在ttl输出低电平时匹配，输出高电平时不匹配。解决方法是在ttl的输出和cmos输入连线处，通过上拉电阻接到v。cm0s在输出低电平时，输出电流小，不能驱动ttl。解决办法是cmos门的并联（只有同一芯片的门才可以并联使用）或采用输入电流较大的cmos缓冲芯片。

　　欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）