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去耦和旁路电路属性—阻抗

发布时间:2008/10/10 0:00:00 访问次数:406

  esr表示电容器中的电阻损耗。这个损耗包括金属电极分布电阻、内部电极间的接触电阻,以及外部端接电阻。高频下的趋肤效应会增加器件的引线电阻值,所以高频esr大于直流下的esr。

  esl也能表示电容器的损耗。当限制电流在元件封装内流动时,必须克服这一因素。就理论而言,限制越严,对电流密度要求也越高,相应地对esl要求也越高。为了减少这个寄生参数,必须考虑宽和长的比例。

  电容器的阻抗用esr与esl表示为

  对于某些介质电容器,其电容值随温度和直流偏压而变化。等效串联电阻esr随温度、直流偏压和频率变化,与此同时等效串联电感esl保持相对不变。

  由于电容器的导线上存在电感,则该电感使得电容器是非理想的。理想电容器的阻抗随频率衰减的速率是-20b每10倍频率。因为不可能通过理想布线来有效地消除磁通量,因而双面板上的长电源走线相当于增加电容器引线长度,这将严重改变电源分配系统的自谐振。

  对于一个理想的平板电容器来说,当电流单一地从一侧流出,注入另一侧时,电感实际上为零。在这种情况下,高频下的z将等于rs,,不存在固有谐振,这正是pcb中的电源和接地层的结构特性,如图所示。


  图 理想平板电容器的阻抗频率响应

欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)



  esr表示电容器中的电阻损耗。这个损耗包括金属电极分布电阻、内部电极间的接触电阻,以及外部端接电阻。高频下的趋肤效应会增加器件的引线电阻值,所以高频esr大于直流下的esr。

  esl也能表示电容器的损耗。当限制电流在元件封装内流动时,必须克服这一因素。就理论而言,限制越严,对电流密度要求也越高,相应地对esl要求也越高。为了减少这个寄生参数,必须考虑宽和长的比例。

  电容器的阻抗用esr与esl表示为

  对于某些介质电容器,其电容值随温度和直流偏压而变化。等效串联电阻esr随温度、直流偏压和频率变化,与此同时等效串联电感esl保持相对不变。

  由于电容器的导线上存在电感,则该电感使得电容器是非理想的。理想电容器的阻抗随频率衰减的速率是-20b每10倍频率。因为不可能通过理想布线来有效地消除磁通量,因而双面板上的长电源走线相当于增加电容器引线长度,这将严重改变电源分配系统的自谐振。

  对于一个理想的平板电容器来说,当电流单一地从一侧流出,注入另一侧时,电感实际上为零。在这种情况下,高频下的z将等于rs,,不存在固有谐振,这正是pcb中的电源和接地层的结构特性,如图所示。


  图 理想平板电容器的阻抗频率响应

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