mos场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达10¹⁵ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当v_gs=0时管子是呈截止状态，加上正确的v_gs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当v_gs=0时即形成沟道，加上正确的v_gs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

　　以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n⁺和漏扩散区n⁺，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1

　　mos场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达10¹⁵ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当v_gs=0时管子是呈截止状态，加上正确的v_gs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当v_gs=0时即形成沟道，加上正确的v_gs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

　　以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n⁺和漏扩散区n⁺，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1