日本 ：NEC开发成功1亿门单元基LSI
发布时间:2007/8/20 0:00:00 访问次数:575
NEC电子设备部开发成功CB-90系列单元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm，采用栅长0.06μm的CMOS方法和铜金属连线技术制造。准备制造的三种单元基LSI是：高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它们的内部工作频率分别为500MHz～1GHz。最高频率为500MHz、最低为150MHz。
高集成度型CB-90M的逻辑门数最多达到1亿门。高速型CB-90H的门延迟时间为10.2ps（2个输入NAND门，扇出数为2）。低功耗型CB-90L的功耗为2.7nw(每1MHz工作的门，电源电压1.0V)。与最小特征尺寸为0.130μm、栅长0.095μm的现行一代单元基LSI（CB-130系列）相比，门数增加约1.9倍，延迟时间缩短约2/3，功耗减少约40%。CB-90系列单元基LSI2003年3月开始接受订货，批量生产预定从第三季度开始。
LSI设计环境准备采用C语言的设计环境，支持系统设计到GDSII格式。
C语言设计环境与RTL为基础的设计方法相比，可使设计时间缩短大约一半。RTL为基础的设计方法从规格设计、硬件设计、软件设计、系统验证到系统评估，需时大约14个月，而以C语言为基础的设计，可缩短到大约7个月。再者，应用C语言的设计环境，也可用于CB-130系列等的现行一代产品。
CB-90系列作为制造方法的设计基准，采用日本国内的标准方法共同开发企业ASPLA（尖端SoC基础技术开发）的基准。据说，将来要使之能够纳入依据ASPLA的、用其他的ASIC Bender的宏单元。
技术前沿__2003年4月30日
NEC电子设备部开发成功CB-90系列单元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm，采用栅长0.06μm的CMOS方法和铜金属连线技术制造。准备制造的三种单元基LSI是：高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它们的内部工作频率分别为500MHz～1GHz。最高频率为500MHz、最低为150MHz。
高集成度型CB-90M的逻辑门数最多达到1亿门。高速型CB-90H的门延迟时间为10.2ps（2个输入NAND门，扇出数为2）。低功耗型CB-90L的功耗为2.7nw(每1MHz工作的门，电源电压1.0V)。与最小特征尺寸为0.130μm、栅长0.095μm的现行一代单元基LSI（CB-130系列）相比，门数增加约1.9倍，延迟时间缩短约2/3，功耗减少约40%。CB-90系列单元基LSI2003年3月开始接受订货，批量生产预定从第三季度开始。
LSI设计环境准备采用C语言的设计环境，支持系统设计到GDSII格式。
C语言设计环境与RTL为基础的设计方法相比，可使设计时间缩短大约一半。RTL为基础的设计方法从规格设计、硬件设计、软件设计、系统验证到系统评估，需时大约14个月，而以C语言为基础的设计，可缩短到大约7个月。再者，应用C语言的设计环境，也可用于CB-130系列等的现行一代产品。
CB-90系列作为制造方法的设计基准，采用日本国内的标准方法共同开发企业ASPLA（尖端SoC基础技术开发）的基准。据说，将来要使之能够纳入依据ASPLA的、用其他的ASIC Bender的宏单元。
技术前沿__2003年4月30日
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
