Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A～200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块

发布时间:2008/8/29 0:00:00 访问次数:597

　　日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术，可实现 10μs 短路功能的额外优势。

　　其中ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz～60khz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200khz 以上的工作频率。

　　vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a～200a 的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、ups、smps、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 tig 焊机应用中，这些 igbt在额定电流时提供了当前市场上“s”系列模块中最低的 vce(on) 。

　　上述全新 igbt 系列器件均采用无铅 (pb)化工艺，可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 emi，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。

　　器件规格表：

p/n	速度	技术	电压	i_c	v_ce(on) 典型.
ga100ts60sfpbf	标准	第 4 代 pt	600 v	100 a	1.39 v
ga200hs60s1pbf	标准	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.13 v
ga200ts60upbf	超快速	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.74 v
ga75ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	75 a	2.5 v
ga100ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	100 a	2.25 v
gb100ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	100 a	2.6 v
gb150ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	150 a	2.64 v
gb200ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	200 a	2.6 v

　　目前，这些新型 igbt 模块的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8 周。

　　vishay简介

　　vishay intertechnology, inc. 是在 nyse (vsh) 上市的“财富 1,000 强企业”，

　　上述全新 igbt 系列器件均采用无铅 (pb)化工艺，可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 emi，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。

　　器件规格表：

p/n	速度	技术	电压	i_c	v_ce(on) 典型.
ga100ts60sfpbf	标准	第 4 代 pt	600 v	100 a	1.39 v
ga200hs60s1pbf	标准	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.13 v
ga200ts60upbf	超快速	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.74 v
ga75ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	75 a	2.5 v
ga100ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	100 a	2.25 v
gb100ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	100 a	2.6 v
gb150ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	150 a	2.64 v
gb200ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	200 a	2.6 v

　　目前，这些新型 igbt 模块的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8 周。

　　vishay简介

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