国际整流器公司(international rectifier，简称ir) 推出25v同步降压式转换器directfet mosfet芯片组，适用于负载点 (pol) 转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。

　　新25v芯片组结合了ir最新的hexfet mosfet硅技术与先进的directfet封装技术，在so-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步mosfet解决方案。新的irf6710s2、irf6795m和irf6797m器件的特点包括：非常低的导通电阻 (rds(on))、栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) ，以实现高效率和散热性能，并可实现每相超过25a的工作。

　　ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“irf6710s2控制mosfet具备极低的栅极电阻 (rg) 及电荷，而且当与irf6795m和irf6797m这些集成了肖特基整流器的同步mosfet共同设计时，能够实现高频、高效dc-dc转换器解决方案，在整个负载范围发挥卓越性能。”

　　irf6710s拥有0.3ω的极低栅极电阻和3.0 nc的超低米勒电荷 (qgd) ，可以大幅减低开关损耗，使这些器件非常适合作为控制mosfet使用。

　　irf6795m和irf6797m拥有极低的rds(on)，可以显著减少导通损耗，而集成的肖特基整流器可以降低二极管导通损耗和反向恢复损耗，使这些新器件非常适合大电流同步mosfet电路。irf6795m和irf6797m采用通用mx占位面积，能轻易由原有syncfet器件转向使用新器件。

　　新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。

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