赛普拉斯半导体公司（cypress）日前推出2mb与8mb非挥发性静态随机存取存储器(nvsram)，新元件具备20ns存取时间、无限次数读写及记忆周期、20年资料保存等特色，适合需要持续高速写入资料，并要求安全的应用，如伺服器、raid、工业控制、汽车、医疗、数据通讯系统。

　　cy14b102 2mb nvsram与cy14b108 8mb nvsram均符合rohs环保规章，能直接取代sram、电池供电sram、eprom与eeprom等元件，不需使用电池就能提供可靠的非挥发资料储存功能。在关闭电源时，系统会自动把sram储存的资料传送到元件的非挥发储存元件。在启动电源时，再把资料从非挥发存储器回存到sram。

　　两种作业都在软件的控制下执行。新款nvsram采用cypress的s8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(silicon oxide nitride oxide silicon，sonos)嵌入式非挥发性存储器技术，具备更高密度，并能改善存取时间与效能。

　　新的2mb与8mb nvsram产品提供一个即时时脉功能，结合最低的待机振荡器电流与最高效能的整合式存储器，可经由非挥发性存储器支持，为发生事件加上时间戳记。

　　相较于电池备援的srams，nvsram所需电路板空间更少、设计复杂度更低，而且比mram或铁电存储器(fram)更经济。新的nvsram也是cypress所推出一系列nvsram中的最新产品，包括16kbit、64kbit、256kbit、1mbit与4mbit的nvsram元件，皆已量产供货。

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