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Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045

发布时间:2008/8/14 0:00:00 访问次数:345

  vishay宣布推出最大结温高达 +175℃ 的首款新型第五代(gen. 5.0)高性能 45v 肖特基二极管。30ctt045 与 60cpt045 器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

  日前推出的这两款肖特基二极管在 +125℃ 时具有超低的最大正向压降,对于 2 x 30a 60cpt045,30a 时典型正向压降低于 0.50v,对于 2 x 15a 30ctt045,15a 时典型正向压降低于 0.50v。这两款器件在 +125℃ 时均具有超低的反向漏电流,分别为 5ma 及 2ma,并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的 vf 与 ir 权衡,可实现更高的系统效率。

  30ctt045 与 60cpt045 均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、d 级放大器,以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度 smps;台式电脑适配器;服务器、汽车驱动器与控制装置;消费类电子产品,例如 pdp、lcd 及高效的音频系统;移动电子产品,例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。

  对于设计人员,这些新型器件采用符合 rohs 的小型封装,可改善成本功耗比,并且具有 rbsoa,可实现紧凑的低成本设计。30ctt045 采用 to-220 封装,而 60cpt045 采用 to-247 封装。

  稳定的高击穿电压(一般高于 57v)可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度增加了 25%。这两款器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了 40%,雪崩时部件可得到完全屏蔽,且开关损耗极小。

  目前,新型 30ctt045 与 60cpt045 的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 6~8 周。



  vishay宣布推出最大结温高达 +175℃ 的首款新型第五代(gen. 5.0)高性能 45v 肖特基二极管。30ctt045 与 60cpt045 器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

  日前推出的这两款肖特基二极管在 +125℃ 时具有超低的最大正向压降,对于 2 x 30a 60cpt045,30a 时典型正向压降低于 0.50v,对于 2 x 15a 30ctt045,15a 时典型正向压降低于 0.50v。这两款器件在 +125℃ 时均具有超低的反向漏电流,分别为 5ma 及 2ma,并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的 vf 与 ir 权衡,可实现更高的系统效率。

  30ctt045 与 60cpt045 均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、d 级放大器,以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度 smps;台式电脑适配器;服务器、汽车驱动器与控制装置;消费类电子产品,例如 pdp、lcd 及高效的音频系统;移动电子产品,例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。

  对于设计人员,这些新型器件采用符合 rohs 的小型封装,可改善成本功耗比,并且具有 rbsoa,可实现紧凑的低成本设计。30ctt045 采用 to-220 封装,而 60cpt045 采用 to-247 封装。

  稳定的高击穿电压(一般高于 57v)可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度增加了 25%。这两款器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了 40%,雪崩时部件可得到完全屏蔽,且开关损耗极小。

  目前,新型 30ctt045 与 60cpt045 的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 6~8 周。



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