IR推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组
发布时间:2008/8/14 0:00:00 访问次数:425
新25v芯片组结合ir新的hexfet mosfet硅技术与directfet封装技术,整合高密度、单一控制和单一同步mosfet解决方案在so-8元件,并采用了0.7mm轻薄设计。新的irf6710s、irf6795m和irf6797m元件导通电阻(rds(on))非常低,也同时具备极低的闸电荷(qg)和闸漏极电荷(qgd),以提升效率和温度效能,并可在每相位逾25a的情况下运作。
irf6710s 0.3ohms的极低闸电阻和3.0nc的超低米勒电荷(qgd),可大幅减低开关损耗,适合作为控制mosfet之用。irf6795m和irf6797m拥有极低的rds(on),故当整合式肖特基整流器(schottky rectifier)降低二极管传导损耗和反向修复损耗,这些新元件就能显著减少传导损耗。irf6795m和irf6797m采用通用mx占用面积,因此能轻易由原有syncfet元件转而使用新元件。
新25v芯片组结合ir新的hexfet mosfet硅技术与directfet封装技术,整合高密度、单一控制和单一同步mosfet解决方案在so-8元件,并采用了0.7mm轻薄设计。新的irf6710s、irf6795m和irf6797m元件导通电阻(rds(on))非常低,也同时具备极低的闸电荷(qg)和闸漏极电荷(qgd),以提升效率和温度效能,并可在每相位逾25a的情况下运作。
irf6710s 0.3ohms的极低闸电阻和3.0nc的超低米勒电荷(qgd),可大幅减低开关损耗,适合作为控制mosfet之用。irf6795m和irf6797m拥有极低的rds(on),故当整合式肖特基整流器(schottky rectifier)降低二极管传导损耗和反向修复损耗,这些新元件就能显著减少传导损耗。irf6795m和irf6797m采用通用mx占用面积,因此能轻易由原有syncfet元件转而使用新元件。