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ST推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片

发布时间:2008/8/14 0:00:00 访问次数:400

  意法半导体(st)推出1mhz双线串行总线eeprom存储器芯片,存储密度分别为256-kbit、512-kbit和1-mbit,兼容i2c fast-mode-puls模式,数据速率可达i2c fast-mode 的2.5倍。工作频率为1mhz,m24m01-hr完成1-mbit的数据处理只需1秒钟;256-kbit的m24256-bhr只需四分之一秒;512-kbit的m24512-hr完成数据处理只需半秒钟。

  这些新的双线串行总线eeprom支持多种访存模式,包括按字节写入模式以及按64字节、128字节 和 256字节页的写入模式、随机写入模式、顺序写入模式、自动递增寻址。除简化芯片在目标应用中的设计外,这些寻址模式还有助于工程师改进系统性能和功耗问题。新产品提供一个写控制输入引脚,同时,三支引脚让一条总线上可连接多达8个设备。为方便在低压或标准电压系统中采用,三款新产品都有不同版本,工作电压从 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。

  st先进的制造工艺让新产性能非凡,兼有1mhz的读写速度、竞争力的价格和三款微型表面贴装,tssop8和3.8mm宽(150 mils)的so-8封装,厚度分别为1.2mm 和1.75mm,可用于纤薄的消费电子产品中(如数字电视)。所有封装均使用st的ecopack环保技术,这项技术符合全球的绿色封装标准,包括欧盟的有害物质限用(rohs)法规。

  新产品还具有很好的耐用性,标称擦写循环100万次,数据保存期限40年以上。

  so-8封装的256-kbit、512-kbit和1-mbit样片、tssop封装的256-kbit和512-kbit样片现已上市。



  意法半导体(st)推出1mhz双线串行总线eeprom存储器芯片,存储密度分别为256-kbit、512-kbit和1-mbit,兼容i2c fast-mode-puls模式,数据速率可达i2c fast-mode 的2.5倍。工作频率为1mhz,m24m01-hr完成1-mbit的数据处理只需1秒钟;256-kbit的m24256-bhr只需四分之一秒;512-kbit的m24512-hr完成数据处理只需半秒钟。

  这些新的双线串行总线eeprom支持多种访存模式,包括按字节写入模式以及按64字节、128字节 和 256字节页的写入模式、随机写入模式、顺序写入模式、自动递增寻址。除简化芯片在目标应用中的设计外,这些寻址模式还有助于工程师改进系统性能和功耗问题。新产品提供一个写控制输入引脚,同时,三支引脚让一条总线上可连接多达8个设备。为方便在低压或标准电压系统中采用,三款新产品都有不同版本,工作电压从 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。

  st先进的制造工艺让新产性能非凡,兼有1mhz的读写速度、竞争力的价格和三款微型表面贴装,tssop8和3.8mm宽(150 mils)的so-8封装,厚度分别为1.2mm 和1.75mm,可用于纤薄的消费电子产品中(如数字电视)。所有封装均使用st的ecopack环保技术,这项技术符合全球的绿色封装标准,包括欧盟的有害物质限用(rohs)法规。

  新产品还具有很好的耐用性,标称擦写循环100万次,数据保存期限40年以上。

  so-8封装的256-kbit、512-kbit和1-mbit样片、tssop封装的256-kbit和512-kbit样片现已上市。



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