LED芯片发光基本原理
发布时间:2008/8/11 0:00:00 访问次数:531
其工作原理是利用发光二体的材料：也就是ⅲ-ⅴ族元素化合物，在单晶上形成具有p-n接合面半导体。藉由外部施加vcc电压，使电子与电洞结合达热平衡时，过剩的能量会以光的形式直接释出。而不是传统灯泡 ，采用滤光镜 间接得到所需光谱。
至于发光效率、发光波长是与使用的材料、结构、添加物有关，(示意图显示基本发光原理)
发光二极管的电流一旦由p侧流入n侧时,p侧电极级注入电洞,n侧电极即注入电子,电洞在p层移动(扩散),电子在n层移动(扩散),达到p-n接合.若电洞与电子的能量达到某定值(diffusion电压,vd)以上,则电洞即跨越p-n接合进入n层,而与大量电子再结合、发光。电子也一样,会跨越p-n接合进入p层,而与大量电洞再结合、发光。
其工作原理是利用发光二体的材料：也就是ⅲ-ⅴ族元素化合物，在单晶上形成具有p-n接合面半导体。藉由外部施加vcc电压，使电子与电洞结合达热平衡时，过剩的能量会以光的形式直接释出。而不是传统灯泡 ，采用滤光镜 间接得到所需光谱。
至于发光效率、发光波长是与使用的材料、结构、添加物有关，(示意图显示基本发光原理)
发光二极管的电流一旦由p侧流入n侧时,p侧电极级注入电洞,n侧电极即注入电子,电洞在p层移动(扩散),电子在n层移动(扩散),达到p-n接合.若电洞与电子的能量达到某定值(diffusion电压,vd)以上,则电洞即跨越p-n接合进入n层,而与大量电子再结合、发光。电子也一样,会跨越p-n接合进入p层,而与大量电洞再结合、发光。
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
