tdk 公司近日宣布开发出gbdriver ra8系列nand闪存控制器lsi，该产品计划于九月份开始销售，生产能力预计为100,000单元/月。gbdriver ra8系列是用于u.dma6的高速nand控制器ic，与2k字节/页和4k字节/页的nand闪存兼容。该控制器支持单级单元 (slc) 和多级单元(mlc) nand 闪存，实现了从128m字节到1 g字节(slc) 和256m字节到32g字节(mlc)的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有128针tqpf封装方式和121针vfbga封装方式。

　　该控制器实现了高速控制、采用15位纠错码(ecc)、gbdriver系列共有的自动恢复功能以及断电时的并行错误预防功能，这些设计提高了nand闪存的数据可靠性。

　　此外，gbdriver ra8系列采用了一种新式独创的静态耗损均衡算法(static wear leveling algorithm)，使每个存储块的重写次数更加平均，这样就最大程度地延长了nand闪存的擦写寿命。闪存管理功能包括改进的设定每个存储块擦写次数的“智能功能”(smart)，并对量化评估、管理及nand存储系统进行了简化。

　　tdk将于2008年10月发售配备了新型gbdriver ra8控制器的工业小型闪存卡和固态驱动器(sdd) 。

主要用途

　　主要用于民用、工业用嵌入式系统设备及 it 设备，例如：数码相机、便携摄像机、数字电视、机顶盒(stb)、多功能打印机、车载导航系统、便携式导航设备 (pnd)、车载音响、电子收费(etc)终端、销售点(pos)终端、 金融业务终端与atm机、医疗设备、测量仪器、机械工具、工厂自动面板计算机及触摸屏系统。

主要特性

主机接口：

　　gbdriver ra8与pio0-6、multiword dma 0-4及ultra dma0-6兼容，支持高达50 mb/秒的读访问速度和35 mb/秒的写访问速度（采用mlc 时为15 mb/秒）。（实际速度取决于安装的闪存）

支持的闪存：

　　gbdriver ra8控制器支持所有厂商最新的2 k字节/页和4 k字节/页结构的nand闪存及其最新产品。由于这些产品都与slc和mlc nand闪存兼容，该控制器实现了从128m字节到16g字节(slc)和256m字节到32g字节(mlc)的存储容量。

适用于所有存储块的静态耗损均衡功能：

　　新的静态耗损均衡算法使每个存储块的擦写次数更加平均。可将静态耗损均衡设为任意范围，超出静态耗损均衡的区域按动态耗损均衡管理。

改进的断电耐受性：

　　在写数据时如发生断电，独创的算法可全面预防并行错误，不让错乱的数据写入。

纠错和恢复：

　　闪存鉴别功能采用8位/段ecc或15位/段ecc来提供纠错能力，为适应未来的发展预留了空间。自动恢复功能包括在重复读取数据时自动纠正位错误（读干扰错误）。

其他功能：

总簇数量设置功能

　　可调高或调低分配给数据区的逻辑块数量。例如，可通过减少数据区逻辑块的数量来提高可写入数据的次数。反之，如果应用不要求长寿命，可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。

保护功能

　　采用ata标准保护功能，使用户能够设置和取消密码以保护重要数据。

“智能命令”支持

　　可通过“智能命令”设定所有内存块的擦写次数，便于确定闪存状态和相关管理。

解决方案支持

　　tdk自2000年开始自主研发和销售gbdriver系列nand闪存控制器，依托其先进技术为日本和国外客户提供技术支持，包括派遣现场应用工程师和实施可靠性监控工作，嵌入式系统市场对此有强烈需求。