Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:360
凌力尔特公司(linear technology corporation)推出高速同步mosfet驱动器ltc4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端n沟道功率mosfet。这个驱动器与功率mosfet和凌力尔特公司众多dc/dc控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步稳压器,以用作降压或升压型dc/dc转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达5a的电流并提供高达2.4a的电流,从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流mosfet。ltc4443/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动3000pf负载时,快速12ns上升时间和8ns下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端mosfet同时导通,并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管,可简化电路。
ltc4443/-1包括一个三态pwm输入以用于电源级停机,该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件还有一个单独的电源,供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外,该器件在6v至9.5v范围驱动高端和低端mosfet的栅极,并在电源电压高达38v时工作。“-1”版本具有较高的6.2v vcc欠压闭锁,而不是3.2v,以用来驱动标准5v逻辑n沟道mosfet。
ltc4443edd和ltc4443edd-1都采用3mm x 3mm dfn-12封装,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.35美元。ltc4443idd和ltc4443idd-1经过测试,保证在-40℃至85℃的工作温度范围内工作,千片批购价为1.50美元。
性能概要:ltc4443/-1
同步n沟道mosfet驱动器
大驱动电流: 提供2.4a,吸收5a
自适应贯通保护
驱动3000pf负载时高端栅极下降时间为8ns
驱动3000pf负载时高端栅极上升时间为12ns
三态pwm输入用于电源级停机
集成自举肖特基二极管
最高电源电压为38v
栅极驱动电压为6v至9.5v
ltc4443的uvlo为3.2v
ltc4443-1的uvlo为6.2v
凌力尔特公司(linear technology corporation)推出高速同步mosfet驱动器ltc4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端n沟道功率mosfet。这个驱动器与功率mosfet和凌力尔特公司众多dc/dc控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步稳压器,以用作降压或升压型dc/dc转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达5a的电流并提供高达2.4a的电流,从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流mosfet。ltc4443/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动3000pf负载时,快速12ns上升时间和8ns下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端mosfet同时导通,并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管,可简化电路。
ltc4443/-1包括一个三态pwm输入以用于电源级停机,该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件还有一个单独的电源,供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外,该器件在6v至9.5v范围驱动高端和低端mosfet的栅极,并在电源电压高达38v时工作。“-1”版本具有较高的6.2v vcc欠压闭锁,而不是3.2v,以用来驱动标准5v逻辑n沟道mosfet。
ltc4443edd和ltc4443edd-1都采用3mm x 3mm dfn-12封装,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.35美元。ltc4443idd和ltc4443idd-1经过测试,保证在-40℃至85℃的工作温度范围内工作,千片批购价为1.50美元。
性能概要:ltc4443/-1
同步n沟道mosfet驱动器
大驱动电流: 提供2.4a,吸收5a
自适应贯通保护
驱动3000pf负载时高端栅极下降时间为8ns
驱动3000pf负载时高端栅极上升时间为12ns
三态pwm输入用于电源级停机
集成自举肖特基二极管
最高电源电压为38v
栅极驱动电压为6v至9.5v
ltc4443的uvlo为3.2v
ltc4443-1的uvlo为6.2v