vishay宣布推出采用业界标准int-a-pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(igbt)。该系列由八个600v及1200v器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

　　日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同igbt技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通(pt) igbt技术，而ga200ts60upbf，ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。

　　gb100ts60npbf，gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第5代非穿通(npt)技术，可实现10μs短路功能的额外优势。

　　该ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达1khz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个igbt是与用于桥配置的hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8khz～60khz的高工作频率，在共振模式下可实现200khz以上的工作频率。

　　vishay新型igbt系列具有75a～200a的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、ups、smps、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。对于输出逆变器tig焊机应用，这些igbt在额定电流时提供了当前市场上“s”系列模块中最低的vce(on) .

　　这些新型igbt无铅(pb)，并且可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低emi，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。