前讯系统公司宣布推出512mbit(64mbyte)nand型闪存，将委由力晶半导体代工，预计于7月起开始小量生产，从今年9月起即可量产出货。

　　前讯公司表示，此次推出的两款产品ac79lv512b与 ac79lv512w，其存储区架构分别为64mb ×8以及32mb×16。该产品总共有4096个标准块，每一标准块含32页，ac79lv512w每页包含528字节，而ac79lv512b每页含264字组。其电压超作范围为2.7v至3.6v，并提供纠错码(ecc)、以及标准块在读写中发生错误时以其它完好的标准块替换(block replacement)之功能。

　　在各类消费性电子产品，如mp3播放器、闪存盘、数码像机等均对nand闪存有庞大需求的同时，前讯系统公司跨入此一市场，企图希望能在三星、东芝等大厂之外，为客户提供另一种选择。

　　根据前讯系统提供的资料指出，该公司系采用全新的分散闸闪存技术，并以0.15微米工艺技术成功应用于此一高密度512mb nand型闪存。其分散闸技术使用三层复晶硅(triple poly)，并用第三层复晶硅形成紧临记忆细胞的选择闸。

　　重复此一单元结构衍生之nand架构与市场上主流结构堆栈闸nand比较，前讯系统具有较小的单位nand面积、较低之抹除与写入操作高电压(前讯仅需12v、而堆栈闸nand需18~20v)、以及较小之高电压藕合需求等优点。此外，由于采用不同的物理机制，前讯系统之分散闸技术可以较快的速度进行资料抹除与写入操作，此一优势在系统应用上可减少操作间等待时间、提升使用效率。