硅-硅直接键合机制
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:564
对于抛光的硅片的表面，一般存在10~60å的本征氧化层，并且在亲水活化处理的过程中，表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层，所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程基本相似。硅-硅直接键合的机理目前已进行了较多的研究[4~8]，整个键合机理可用三个或四个阶段的键合过程进行描述，这里用四个键合阶段对键合机理进行描述：
第一阶段，从室温到
第二阶段，
对于抛光的硅片的表面，一般存在10~60å的本征氧化层，并且在亲水活化处理的过程中，表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层，所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程基本相似。硅-硅直接键合的机理目前已进行了较多的研究[4~8]，整个键合机理可用三个或四个阶段的键合过程进行描述，这里用四个键合阶段对键合机理进行描述：
第一阶段，从室温到
第二阶段，
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