-光刻是指将集成电路图形从掩膜版上转移到硅片上的工艺过程

光刻技术是集成电路的关键技术之一
　　在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％

　　光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的
　　进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。。

光刻系统的组成：

　　　　光刻机（曝光工具）
　　　　掩膜版
　　　　光刻胶

主要指标：

　　　　分辨率w（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸
　　　　焦深(dof-depth of focus) -> 投影光学系统可清晰成象的尺度范围
　　　　关键尺寸（cd-critical dimension）控制
　　　　对准和套刻精度(alignment and overlay)
　　　　产率(throughout)
　　　　价格

其中，w是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。
其由瑞历定律决定：　r = k1r/na ，　其中　r 是光刻波的波长。

提高光刻分辨率的途径:

　　　　减小波长r, 其中，　光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率
　　　　增加数值孔径
　　　　优化系统设计（分辨率增强技术）
　　　　减小k1

主流光刻技术:
248nm duv技术（krf准分子激光） -> 0.10um 特征尺寸
193nm duv技术（arf准分子激光） -> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技术:
immersion 193nm技术
157nm f2
euv光刻 紫外线光刻
电子束投影光刻
x射线光刻
离子束光刻
纳米印制光刻

光学透镜
　　　　透射式透镜（248nm、193nm)
　　　　反射式透镜（157nm）

掩膜版
　　　　由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属cr）组成。
　　　　通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层

分辨率增强技术(ret):
　　　　　step-scan 技术
　　　　　偏轴照明(oai)
　　　　　邻近效应校正(opc)
　　　　　移相掩膜(psm)
　　　　　具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶
　　　　　光刻胶修剪(resist trimming)
　　　　　抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶

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jiangzh2014
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厉害！

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jiangzh2014
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集成电路系统级封装(sip)技术和应用

摘要
由于集成电路设计水平和工艺技术的提高，集成电路规模越来越大，已可以将整个系统集成为一个芯片（目前已可在一个芯片上集成108个晶体管）。这就使得将含有软硬件多种功能的电路组成的系统（或子系统）集成于单一芯片成为可能。90年代末期集成电路已经进入系统级芯片（soc）时代。20世纪80年代，专用集成电路用标准逻辑门作为基本单元，由加工线供给设计者无偿使用以缩短设计周期；90年代末进入系统级芯片时代，在一个芯片上包括了cpu、dsp、逻辑电路、模拟电路、射频电路、存储器和其它电路模块以及嵌入软件等，并相互连接构成完整的系统。由于系统设计日益复杂，设计业出现了专门从事开发各种具有上述功能的集成电路模块（称做知识产权的内核，即ip核）的工厂，并把这些模块通过授权方式提供给其他系统设计者有偿使用。设计者将以ip核作为基本单元进行设计。ip核的重复使用既缩短了系统设计周期，又提高了系统设计的成功率。研究表明，与ic组成的系统相比，由于soc设计能够综合并全盘考虑整个系统的各种情况，可以在同样工艺技术条件下实现更高的系统指标。21世纪将是soc技术真正快速发展的时期。
近年来由于整机的便携式发展和系统小型化的趋势，要求芯片上集成更多不同类型的元器件，如si-cmosic、gaas-rfic、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和传感器等。单一材料和标准工艺的soc就受到了限制。近年来在soc基础上快速发展的系统级封装(sip)，即在一个封装内不仅可以组装多个芯片，还可以将包含上述不同类型的器件和电路芯片叠在一起，构建成更为复杂的、完整的系统。
sip与soc相比较具有：

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（1）可提供更多新功能；
（2）多种工艺兼容性好；
（3）灵活性和适应性强；
（4）低成本；
（5）易于分块测试；
(6)开发周期较短等优点。
soc和sip二者互为补充，一般认为soc主要应用于更新换代较慢的产品和军事装备要求高性能的产品，sip主要用于换代周期较短的消费类产品，如手机等。sip在合格