n-Si和p-Si体内迁移率
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:1129
n-si和p-si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半，并且与晶向有关。
具体数值与硅表面状况有关。mos工艺常选用(100)晶向的单晶做衬底.
静态功耗的三种成因
②动态（dynamic）功耗
动态功耗ps由三部分组成：a、电路逻辑操作所引起的状态改变所需功耗；b、p管与n管阈值电压重叠所产生的导通电流所需功耗；c、不同路径的时间延迟不同所产生的竞争冒险所需功耗。
n-si和p-si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半，并且与晶向有关。
具体数值与硅表面状况有关。mos工艺常选用(100)晶向的单晶做衬底.
静态功耗的三种成因
②动态（dynamic）功耗
动态功耗ps由三部分组成：a、电路逻辑操作所引起的状态改变所需功耗；b、p管与n管阈值电压重叠所产生的导通电流所需功耗；c、不同路径的时间延迟不同所产生的竞争冒险所需功耗。
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