工艺良品率概述
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:320
概述
高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。本章将结合影响良品率的主要工艺及材料要素对主要的良品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和良品率测量点的典型良品率也在本章中列出。
目的
完成本章后将能够：
1，指出三个工艺良品率的主要测量点
2，解释晶圆直径，芯片尺寸，芯片密度，边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响
3，通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良率
4，解释及计算整体工艺良品率
5，对影响制造良品率的4个主要方面做出解释
6，建立良品率相对时间的曲线来反映不同的工艺和电路成熟程度
7，解释高水平工艺良品率和器件可靠性之间的联系
高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。本章将结合影响良品率的主要工艺及材料要素对主要的良品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和良品率测量点的典型良品率也在本章中列出。
目的
完成本章后将能够：
1，指出三个工艺良品率的主要测量点
2，解释晶圆直径，芯片尺寸，芯片密度，边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响
3，通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良率
4，解释及计算整体工艺良品率
5，对影响制造良品率的4个主要方面做出解释
6，建立良品率相对时间的曲线来反映不同的工艺和电路成熟程度
7，解释高水平工艺良品率和器件可靠性之间的联系
概述
高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。本章将结合影响良品率的主要工艺及材料要素对主要的良品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和良品率测量点的典型良品率也在本章中列出。
目的
完成本章后将能够：
1，指出三个工艺良品率的主要测量点
2，解释晶圆直径，芯片尺寸，芯片密度，边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响
3，通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良率
4，解释及计算整体工艺良品率
5，对影响制造良品率的4个主要方面做出解释
6，建立良品率相对时间的曲线来反映不同的工艺和电路成熟程度
7，解释高水平工艺良品率和器件可靠性之间的联系
高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。本章将结合影响良品率的主要工艺及材料要素对主要的良品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和良品率测量点的典型良品率也在本章中列出。
目的
完成本章后将能够：
1，指出三个工艺良品率的主要测量点
2，解释晶圆直径，芯片尺寸，芯片密度，边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响
3，通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良率
4，解释及计算整体工艺良品率
5，对影响制造良品率的4个主要方面做出解释
6，建立良品率相对时间的曲线来反映不同的工艺和电路成熟程度
7，解释高水平工艺良品率和器件可靠性之间的联系
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